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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Wanglai;  Xu Bo;  Liang Ping;  Hu Ying;  Sun Hong;  Lü Xueqin;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Jin P;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Lund Univ, SE-22100 Lund, Sweden. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Li RY;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: albertjefferson@sohu.com
Adobe PDF(175Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1115/362  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li RY;  Wang ZG;  Xu B;  Jin P;  Guo X;  Chen M;  Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ryli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Xu B;  Jin P;  Zhao C;  Yu LK;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ahleiwen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Wang YL;  Huang XQ;  Zhao C;  Liu JQ;  Xu B;  Jin P;  Zeng YP;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ahleiwen@red.semi.ac.cn
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Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Liu HY;  Zhang ZY;  Shi GX;  Zhang CL;  Wang YL;  Liu FQ;  Xu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Dots  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Wang ZG;  Xu B;  Jin P;  Sun ZZ;  Liu FQ;  Zhang, ZY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangzy@red.semi.ac.cn
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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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