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中国科学院半导体研究所机构知识库
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
InGaN/GaN LED载流子泄漏的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
黄洋
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提交时间:2018/05/29
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期刊论文
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WEI LIU
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GUOTONG DU
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提交时间:2019/11/19
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期刊论文
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提交时间:2019/11/19
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提交时间:2019/11/12
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期刊论文
作者:
Yu Cui
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Bo Li
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JingBo Li
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ZhongMing Wei
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提交时间:2019/11/12
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期刊论文
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Ludong Li
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提交时间:2019/11/18
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Zhanguo Wang
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提交时间:2019/11/12