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一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:  朱建军
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利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  冯向旭;  张宁;  刘乃鑫;  付丙磊;  朱绍歆;  张连;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
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InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  杨静;  赵德刚;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：599/4  |  提交时间：2016/08/30