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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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光电子研究发展中心 [7]
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马占红 [1]
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基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
彭莉媛
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提交时间:2021/06/17
无权访问的条目
学位论文
作者:
马占红
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提交时间:2020/09/22
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学位论文
作者:
闵成彧
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提交时间:2020/09/22
GaN基激光器的研制及器件物理
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:
李翔
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提交时间:2017/06/01
Gan基激光器
电子泄漏
局域态
微分特性
Gaas基激光器
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Haicheng Li
;
Yun Xu
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Xiaomin Li
;
Ying Chen
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Yu Jiang
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Changxing Zhang
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Bingwei Lu
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Jian Wang
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Yinji Ma
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Yihao Chen
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Yin Huang
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Minquang Ding
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Honghong Su
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Guofeng Song
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Yi Luo
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X. Feng
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提交时间:2018/11/30
无权访问的条目
学位论文
作者:
李洪磊
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提交时间:2016/05/31
GaN基材料生长与发光器件基础问题研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
乐伶聪
Adobe PDF(5423Kb)
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浏览/下载:798/56
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提交时间:2015/11/30