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半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  金鹏;  王占国
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GaAs基低维材料InXGal-xAs/GaAs量子点、量子阱的MBE的生长及其 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1999
作者:  于磊
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