|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 杨冠卿
 Adobe PDF(6106Kb) |  收藏 | 浏览/下载：470/58 | 提交时间：2017/06/05 |
| 应用于TDLAS的DBR激光器及新型激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 米俊萍
Adobe PDF(5091Kb) | 收藏 | 浏览/下载：879/93 | 提交时间：2016/06/03
Dbr激光器 长波长 Tdlas 隧穿二极管 多种类气体探测 |
| 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(308Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1171/183 | 提交时间：2012/09/09 |
| 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(281Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1064/163 | 提交时间：2012/09/09 |
| 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(311Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1100/183 | 提交时间：2012/09/09 |
| 窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05
发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
Adobe PDF(5284Kb) | 收藏 | 浏览/下载：571/4 | 提交时间：2017/06/05 |
| 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 周旭亮; 于红艳; 米俊萍; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(327Kb) | 收藏 | 浏览/下载：713/66 | 提交时间：2014/11/17 |
| 制备硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 周旭亮; 于红艳; 张心; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(396Kb) | 收藏 | 浏览/下载：590/73 | 提交时间：2014/10/31 |
