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| 面向光电器件的氮化硅手性介质超表面研究 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 李子瑛
 Adobe PDF(4184Kb) |  收藏 | 浏览/下载：96/0 | 提交时间：2023/07/03 |
| 耦合微腔激光器的噪声特性和全光信号处理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 刘家辰
Adobe PDF(7122Kb) | 收藏 | 浏览/下载：292/10 | 提交时间：2022/07/15 |
| 高密度1.3微米波段GaAs基、Si基InAs GaAs量子点激光器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 郝慧明
Adobe PDF(8306Kb) | 收藏 | 浏览/下载：345/12 | 提交时间：2022/07/15 |
| 基于GaN功率管的植入式无线能量传输系统关键技术研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 杨沛
Adobe PDF(3315Kb) | 收藏 | 浏览/下载：171/0 | 提交时间：2022/07/25 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王勇刚; 马骁宇; 张丙元; 陈檬; 李港
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| 砷化镓材料、器件与电路 成果
1997
主要完成人: 姚林生; 王占国; 夏冠群; 李爱珍; 孔梅影
收藏 | 浏览/下载：1332/0 | 提交时间：2010/04/13
砷化镓 |
| 提高砷化镓材料质量的研究 成果
1985
主要完成人: 林兰英; 彭瑞伍; 林耀望; 莫培根; 方兆强
收藏 | 浏览/下载：1012/0 | 提交时间：2010/04/13
砷化镓材料 |
| 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
Adobe PDF(281Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1063/163 | 提交时间：2012/09/09 |
| 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
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