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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
张书明 [1]
赵德刚 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2000 [3]
1999 [1]
1998 [1]
语种
英语 [5]
出处
INTEGRATED... [1]
MATERIALS ... [1]
OPTICAL MA... [1]
PROCEEDING... [1]
RARE-EARTH... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [5]
资助机构
IUMRS.; Am... [1]
Int Union ... [1]
Japan Soc ... [1]
SPIE Int S... [1]
SPIE.; Def... [1]
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期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yang H
;
Zhang SM
;
Xu DP
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Feng ZH
;
Zheng LX
;
Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(380Kb)
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提交时间:2010/10/29
Mocvd
Gan
Ingan
Cubic
Led
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Phase Epitaxy
Ingan Films
Electroluminescence
Zincblende
Wurtzite
Mbe
Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(229Kb)
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提交时间:2010/11/15
Er-doped Silicon
Photoluminescence
Energy Transfer
Al2o3 Wave-guides
Er
Electroluminescence
Epitaxy
Gaas
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
;
Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
Adobe PDF(697Kb)
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提交时间:2010/11/15
Precipitate
Gan
Wds
Tem
Cathodoluminescence
Vapor-phase Epitaxy
Films
Mechanism
Growth
Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses
会议论文
RARE-EARTH-DOPED MATERIALS AND DEVICES III, 3622, SAN JOSE, CA, JAN 27-28, 1999
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Chen BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Xie DT
;
Wu JG
;
Xu DF
;
Xu GX
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Er-doped Silica Glass
Sol-gel Process
Photoluminescence
Planar Wave-guides
Molecular-beam Epitaxy
Crystal Silicon
Implanted Si
Luminescence
Electroluminescence
Fabrication
Impurities
Films
Ions
Electroluminescence and photoluminescence of Si/SiGe self-assembly quantum dot structures
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Si JJ
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Wang QM
;
Si JJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(796Kb)
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提交时间:2010/10/29
Si/sige
Quantum Dot
Electroluminescence
Photoluminescence