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| AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 郝美兰
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 黄宇亮
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| 绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘炜
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| 宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘雅丽
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Algan/algan 量子阱 Gan/aln量子点 半导体金刚石 深紫外光致发光 激子-声子作用 激子局域化 |
| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
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Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李晓静
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| AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 赵勇兵
Adobe PDF(3734Kb) | 收藏 | 浏览/下载：835/78 | 提交时间：2016/06/01
Algan/gan Hfet 特征导通电阻 击穿电压 增强型器件 阈值电压 |
| 应用于TDLAS的DBR激光器及新型激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 米俊萍
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Dbr激光器 长波长 Tdlas 隧穿二极管 多种类气体探测 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 田迎冬
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| 石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 曾清
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石墨烯+apcvd+iii 族氮化物+mocvd |
