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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  刘炜
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Ingan  量子阱  薄膜  极化效应  局域态  本底载流子浓度  
面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
作者:  刘胜北
Adobe PDF(3371Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1528/46  |  提交时间：2018/02/22