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| 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东
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| 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晓丽; 陈诺夫; 尹志岗
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| 制作ZnO基异质结发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183370.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张曙光; 尹志岗; 张兴旺; 游经碧
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| 改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张曙光; 张兴旺; 尹志岗; 董敬敬; 游经碧
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| ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26
发明人: 谢辉; 赵有文
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| ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 施辉东; 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 刘鑫
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