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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
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Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
微纳结构硅材料可控制备及其太阳能电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  吴瑞伟
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金属辅助化学腐蚀  微纳结构  减反  径向pn结  太阳能电池