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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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文献类型
期刊论文 [36]
会议论文 [5]
专利 [2]
发表日期
2007 [43]
语种
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中文 [21]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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发表日期:2007
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15
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25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
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WOS被引频次升序
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一种频率噪声整形直接数字频率合成器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
倪卫宁
;
石寅
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提交时间:2009/06/11
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
韩勤
;
张石勇
;
吴东海
;
赵欢
;
杨晓红
;
彭红玲
;
周志强
;
熊永华
;
吴荣汉
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang)
;
Ren ZW (Ren Zhengwei)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
He ZH (He Zhenhong)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
;
Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1046/304
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao J (Zhao, Jianzhi)
;
Lin Z (Lin, Zhaojun)
;
Corrigan TD (Corrigan, Timothy D.)
;
Wang Z (Wang, Zhen)
;
You Z (You, Zhidong)
;
Wang Z (Wang, Zhanguo)
;
Zhao, J, Shandong Univ, Sch Phys & Microelect, Jinan 250100, Peoples R China. 电子邮箱地址: linzj@sdu.edu.cn
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浏览/下载:849/247
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang)
;
Ren ZW (Ren Zhengwei)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
He ZH (He Zhenhong)
;
Niu ZC (Niu, Zhichuan)
;
Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Xiao JL (Xiao Jin-Long)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Du Y (Du Yun)
;
Zhao, H (Zhao Huan)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Xiao, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Sun, Z (Sun, Zheng)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Ji, Y (Ji, Yang)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Wang, BR (Wang, B. R.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1063/352
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Sun Z
;
Xu ZY
;
Ruan,XZ
;
Ji Y
;
Sun BQ
;
Wang M
;
Ni HQ
;
Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Wu, BP
;
Wu, DH
;
Ni, HQ
;
Huang, SS
;
Zhan, F
;
Xiong, YH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
;
Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wudonghai@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Sun Z (Sun Zheng)
;
Xu ZY (Xu Zhong-Ying)
;
Ruan XZ (Ruan Xue-Zhong)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1091/266
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提交时间:2010/03/29