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一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  陈弘达;  黄北举;  张 旭 
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SOI衬底CMOS工艺电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  陈弘达;  黄北举;  董 赞 
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高速CMOS光接收机与硅基光电子集成回路研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  黄北举
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CMOS硅发光二极管驱动电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
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采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
Adobe PDF(500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1205/167  |  提交时间：2009/06/11