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一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  张兴旺;  蔡培锋;  游经碧;  范亚明;  高 云;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Yin ZG;  Cai F;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci A35 Qinghua Donglu Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Yin ZG;  Cai PF;  Chen NF;  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Qu S;  Chen NF;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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