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| 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 李巍
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氮化镓 铟铝氮 高电子迁移率晶体管 二维电子气 电流崩塌 |
| 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 申占伟
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4h-sic 场效应晶体管 No退火 Umosfet 欧姆接触 槽角圆弧化 米勒电容 |
| 六方氮化硼及其与石墨烯异质结构的制备与性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孟军华
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石墨烯 六方氮化硼 异质结 杂化薄膜 |
| 高效稳定的杂化钙钛矿光电器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 张留旗
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有机无机杂化钙钛矿 太阳能电池 发光二极管 |
| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
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Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| GaN基HEMT器件材料的生长技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 吉泽生
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| 通过强化扩散吸杂和表面钝化作用提高晶硅电池的转化效率 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 陈晓玉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Qi Jiang; Zema Chu; Pengyang Wang; Xiaolei Yang; Heng Liu; Ye Wang; Zhigang Yin; Jinliang Wu; Xingwang Zhang; Jingbi You
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liuqi Zhang; Xiaolei Yang; Qi Jiang; Pengyang Wang; Zhigang Yin; Xingwang Zhang; Hairen Tan; Yang (Michael) Yang; Mingyang Wei; Brandon R. Sutherland; Edward H. Sargent; Jingbi You
Adobe PDF(1661Kb) | 收藏 | 浏览/下载：165/1 | 提交时间：2018/06/01 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hong-Yan Chen; Hong-Liang Lu; Jin-Xin Chen; Feng Zhang; Xin-Ming Ji; Wen-Jun Liu; Xiao-Feng Yang; David Wei Zhang
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