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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
2~4μm 红外波段GaSb基量子阱激光器材料生长与器件制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  邢军亮
Adobe PDF(7576Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1251/98  |  提交时间：2015/05/29