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Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
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Gan  Mocvd  
硅基一维横向纳米材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  张大林
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Si 基  一维纳米材料  Gesn 一维横向生长  横向转移  
锗锡材料特性以及相关光电子器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  张东亮
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锗锡  硅基光电子  探测器  近红外  双异质结激光器  
GaN基发光器件关键材料的MOCVD生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  周坤
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InGaN 多量子阱材料生长及太阳能电池器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  杨 静
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GaN基材料生长与发光器件基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  乐伶聪
Adobe PDF(5423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：814/56  |  提交时间：2015/11/30