×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
江德生 [1]
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2003 [1]
2000 [1]
1999 [1]
1997 [1]
语种
英语 [4]
出处
1997 IEEE ... [1]
DIFFRACTIV... [1]
MICROELECT... [1]
NUCLEAR IN... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [4]
资助机构
Chinese Ma... [1]
IEEE Elect... [1]
SPIE. [1]
Univ Flore... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
提交时间升序
提交时间降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(389Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1336/254
  |  
提交时间:2010/11/15
Czochralski Method
Growth From Melt
Semiconductor Silicon
Argon Gas Flow
Computer Simulation
Oxygen Content
Furnace Pressure
Circular crating optical scanning holography
会议论文
DIFFRACTIVE/HOLOGRAPHIC TECHNOLOGIES AND SPATIAL LIGHT MODULATORS VII, 3951, SAN JOSE, CA, JAN 24-25, 2000
作者:
Liang WG
;
Liu SY
;
Xie JH
;
Zhao DZ
;
Liang WG Acad Sinica Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(218Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1219/307
  |  
提交时间:2010/10/29
Circular Grating
Scanning
Holography
Simulation
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
会议论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 426 (1), FLORENCE, ITALY, MAR 04-06, 1998
作者:
Li Z
;
Dezilllie B
;
Eremin V
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
;
Li Z Brookhaven Natl Lab Bldg 535BPOB 5000 Upton NY 11973 USA.
Adobe PDF(429Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1529/327
  |  
提交时间:2010/11/15
Strip Detectors
Silicon Detectors
Annealing
Simulation
Irradiation
N-eff
Junction Detectors
Radiation-damage
Models
Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors
会议论文
1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, HONG KONG, HONG KONG, 35672
作者:
Wu WG
;
Jiang DS
;
Cui LQ
;
Song CY
;
Zhuang Y
;
Wu WG Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(325Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1177/234
  |  
提交时间:2010/11/15