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Design and fabrication of GaAs OMIST photodetector 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Kang XJ;  Lin SM;  Liao QW;  Gao JH;  Liu SA;  Cheng P;  Wang HJ;  Zhang CH;  Wang QM;  Kang XJ Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Photodetector  Oxidation  Materials Growth  
Preparation and photoluminescence of nc-Si/SiO2 MQW 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Cheng BW;  Yu JZ;  Yu Z;  Lei ZL;  Li DZ;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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