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| 基于微米级表面结构的可调谐半导体激光器研究 学位论文 工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 杜方岭 Adobe PDF(8414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:235/4  |  提交时间:2023/07/03 |
| Si杂质诱导 InGaAs_AlGaAs 高功率半导体激光器量子阱混杂的研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 刘翠翠 Adobe PDF(5542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:434/18  |  提交时间:2020/08/05 |
| 硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 何超 Adobe PDF(7728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:825/54  |  提交时间:2016/06/02 Si 基发光器件 Ge/si 量子点 Ge/sige 量子阱 Ge 薄膜 |
| 石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 曾清 Adobe PDF(1540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:793/66  |  提交时间:2016/05/31 石墨烯+apcvd+iii 族氮化物+mocvd |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang ZC; Yang SY; Zhang FQ; Xu B; Zeng YP; Chen YH; Wang ZG; Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(165Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:975/340  |  提交时间:2010/08/12 |
| Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 会议论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000 作者: Sun BQ; Jiang DS; Pan Z; Li LH; Wu RH; Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. Adobe PDF(112Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1141/261  |  提交时间:2010/11/15 Molecular Beam Epitaxy Quantum Wells Semiconducting Iiiv Materials Luminescence Gaasn |