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基于微米级表面结构的可调谐半导体激光器研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  杜方岭
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Si杂质诱导 InGaAs_AlGaAs 高功率半导体激光器量子阱混杂的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  刘翠翠
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硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  何超
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Si 基发光器件  Ge/si 量子点  Ge/sige 量子阱  Ge 薄膜  
石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  曾清
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石墨烯+apcvd+iii 族氮化物+mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Xu B;  Zeng YP;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Sun BQ;  Jiang DS;  Pan Z;  Li LH;  Wu RH;  Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Semiconducting Iiiv Materials  Luminescence  Gaasn