|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 锗铅合金材料外延生长及探测器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 刘香全
 Adobe PDF(8815Kb) |  收藏 | 浏览/下载：279/17 | 提交时间：2022/07/15 |
| 硅基锗锡材料的生长及探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 赵越
Adobe PDF(8298Kb) | 收藏 | 浏览/下载：459/23 | 提交时间：2021/06/18 |
| 硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 杨巧林
Adobe PDF(2585Kb) | 收藏 | 浏览/下载：279/1 | 提交时间：2021/06/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu, Xiangquan; Zheng, Jun; Zhao, Yue; Li, Mingming; Peng, Linzhi; Wan, Fengshuo; Niu, Chaoqun; Liu, Zhi; Zuo, Yuhua; Xue, Chunlai; Cheng, Buwen
Adobe PDF(4724Kb) | 收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2022/07/25 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ping Zhang; Kexin Sun; Xurui Mao; Mi Xiao; Zhentai Zheng
Adobe PDF(2185Kb) | 收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2021/06/28 |
| 纳秒激光诱导金属表面功能性微纳结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 付金祥
Adobe PDF(7189Kb) | 收藏 | 浏览/下载：768/27 | 提交时间：2017/06/01
纳秒激光 微纳结构 陷光结构 润湿特性 结构色 |
| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
Adobe PDF(15211Kb) | 收藏 | 浏览/下载：603/39 | 提交时间：2017/06/05
Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
Adobe PDF(15932Kb) | 收藏 | 浏览/下载：713/63 | 提交时间：2016/06/02
高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhi Liu; Hui Cong; Fan Yang; Chuanbo Li; Jun Zheng; Chunlai Xue; Yuhua Zuo; Buwen Cheng; Qiming Wang
Adobe PDF(1211Kb) | 收藏 | 浏览/下载：343/5 | 提交时间：2017/03/10 |
| 快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 温娟娟
Adobe PDF(8079Kb) | 收藏 | 浏览/下载：888/45 | 提交时间：2015/06/01
Goi Rmg 光致发光 晶格旋转 Si-ge互扩散 |
