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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Zhou, Pengyu
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Zhang, Qingli
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Dou, Xiuming
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Wang, Jian
;
Sun, Baoquan
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Shen, Yuhua
;
Liu, Bao
;
Han, Dandan
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提交时间:2022/03/28
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期刊论文
作者:
Lin Zhou
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Kai Yu
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Qiming Wang
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提交时间:2019/11/19
GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
陶东言
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提交时间:2015/05/29
稀磁半导体
Gan
Gasb
表面钝化
肖特基器件
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期刊论文
作者:
Xie Hui
;
Zhao You-Wen
;
Liu Tong
;
Dong Zhi-Yuan
;
Yang Jun
;
Liu Jing-Ming
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提交时间:2016/03/29
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期刊论文
作者:
Ye, HY
;
Koh, SW
;
Yuan, C
;
van Zeijl, H
;
Gielen, AWJ
;
Lee, SWR
;
Zhang, GQ
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提交时间:2015/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu Dong
;
Wu Jieting
;
Jiao Lei
;
Xu Hongxing
;
Zhang Peimei
;
Yu Renhong
;
Cheng Xiaonong
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提交时间:2013/09/22
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期刊论文
作者:
Xu, D
;
Wang, BA
;
Lin, YH
;
Jiao, L
;
Yuan, HM
;
Zhao, GP
;
Cheng, XN
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu, Dong
;
Cheng, Xiaonong
;
Yuan, Hongming
;
Yang, Juan
;
Lin, Yuanhua
;
Xu, D.(frank@ujs.edu.cn)
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu PF
;
Lu J
;
Chen L
;
Yan SA
;
Meng HJ
;
Pan GQ
;
Zhao JH
;
Zhao, JH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jhzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Yang ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11