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GaAs基InSb薄膜MBE外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  赵晓蒙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, X.F;  Duan, Y;  Cui, J.P;  Zeng, Y.P
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MVPE Ga 掺杂ZnO 薄膜材料的制备及其在LED 中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  刘祯
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MVPE ZnO 薄膜材料的制备及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  崔军朋
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蓝宝石衬底上ZnO 薄膜的MVPE 生长及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  何金孝
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui JP;  Duan Y;  Wang XF;  Zeng YP;  Cui JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jpcui@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  何金孝;  段垚;  王晓峰;  崔军朋;  曾一平;  李晋闽
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采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010143078.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓峰;  杨华;  刘祯;  曾一平;  王国宏
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采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010141024.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓峰;  段垚;  刘祯;  曾一平
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