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中国科学院半导体研究所机构知识库
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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浏览/下载:874/61
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
InGaN 多量子阱材料生长及太阳能电池器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
杨 静
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浏览/下载:629/52
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提交时间:2015/06/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jia, C.H.
;
Chen, Y.H.
;
Zhang, B.
;
Liu, X.L.
;
Yang, S.Y.
;
Zhang, W.F.
;
Wang, Z.G.
;
Chen, Y.H.(yhchen@red.semi.ac.cn)
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浏览/下载:914/310
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yan, Jianchang
;
Wang, Junxi
;
Cong, Peipei
;
Sun, Lili
;
Liu, Naixin
;
Liu, Zhe
;
Zhao, Chao
;
Li, Jinmin
;
Yan, J.(yanjc@semi.ac.cn)
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浏览/下载:1336/487
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi K
;
Yang AL
;
Wang J
;
Song HP
;
Xu XQ
;
Sang L
;
Wei HY
;
Yang SY
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Shi, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1558/487
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang BA
;
Song HP
;
Wang J
;
Jia CH
;
Liu JM
;
Xu XQ
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Zhang, BA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhangbiao@semi.ac.cn
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浏览/下载:1419/389
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng GL
;
Yang AL
;
Wei HY
;
Liu XL
;
Song HP
;
Guo
;
Y
;
Jia CH
;
Jiao CM
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Zheng, GL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhenggl@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/04
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu GJ (Lu Guo-Jun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Zhu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jjzhu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1403/360
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提交时间:2010/04/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@semi.ac.cn
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浏览/下载:1221/445
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提交时间:2010/08/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@semi.ac.cn
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提交时间:2010/12/12