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| Si杂质诱导 InGaAs_AlGaAs 高功率半导体激光器量子阱混杂的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
Authors: 刘翠翠
 Adobe PDF(5542Kb) |  Favorite | View/Download：1/1 | Submit date：2020/08/05 |
| 无权访问的条目 学位论文
Authors: 王东博
Adobe PDF(9860Kb) | Favorite | View/Download：51/24 | Submit date：2019/11/18 |
| Crossover from Coulomb blockade to ballistic transport in InAs nanowire devices 期刊论文
Nanotechnology, 2019, 卷号: 30, 页码: 124001
Authors: L B Wang ; Dong Pan ; G Y Huang ; Jianhua Zhao ; N Kang ; H Q Xu
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| High material quality growth of AlInAsSb thin films on GaSb substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 028503
Authors: Fa-Ran Chang ; Rui-Ting Hao ; Tong-Tong Qi ; Qi-Chen Zhao ; Xin-Xing Liu ; Yong Li ; Kang Gu ; Jie Guo ; Guo-Wei Wang ; Ying-Qiang Xu ; Zhi-Chuan Niu
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| 感应加热式MOCVD设备的模拟仿真与研制 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors: 梅书哲
Adobe PDF(20542Kb) | Favorite | View/Download：299/50 | Submit date：2018/06/11
Mocvd 感应加热 温度均匀性 流场温场 建模仿真 |
| Fundamental Intrinsic Lifetimes in Semiconductor Self-Assembled Quantum Dots 期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2018, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 044009
Authors: Wen Xiong; Jun-Wei Luo; Xiulai Xu; Ming Gong; Shu-ShenLi; Guang-CanGuo
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| 锑化物红外探测器工艺制备与表征 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2017
Authors: 郝宏玥
Adobe PDF(6014Kb) | Favorite | View/Download：954/59 | Submit date：2017/12/27 |
| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors: 孔祥挺
Adobe PDF(15211Kb) | Favorite | View/Download：268/37 | Submit date：2017/06/05
Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| GaAs基超短脉冲激光泵浦源及频率转换器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors: 魏思航
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锁模激光器 单光子频率转换 二阶非线性 布拉格反射波导 |
| Exciton emission of quasi-2D InGaN in GaN matrix grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 46420
Authors: Dingyu Ma; Xin Rong; Xiantong Zheng; Weiying Wang; Ping Wang; Tobias Schulz; Martin Albrecht; Sebastian Metzner; Mathias Müller; Olga August; Frank Bertram; Jürgen Christen; Peng Jin; Mo Li; Jian Zhang; Xuelin Yang; Fujun Xu; Zhixin Qin; Weikun Ge; Bo Shen; Xinqiang Wang
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