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| InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
Authors: 孙静
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| 锑化铟的掺杂与异质结构的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
Authors: 董海云
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| 无权访问的条目 学位论文
Authors: 于天
Adobe PDF(9698Kb) | Favorite | View/Download：0/0 | Submit date：2019/11/19 |
| 锑化物超晶格中红外高温探测器 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors: 孙姚耀
Adobe PDF(6890Kb) | Favorite | View/Download：133/25 | Submit date：2019/11/19 |
| 锑化物量子阱短波红外单模大功率激光器 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors: 黄书山
Adobe PDF(4440Kb) | Favorite | View/Download：207/38 | Submit date：2019/08/20 |
| GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors: 余丁
Adobe PDF(3273Kb) | Favorite | View/Download：86/8 | Submit date：2019/09/22 |
| 无权访问的条目 学位论文
Authors: 王东博
Adobe PDF(9860Kb) | Favorite | View/Download：51/24 | Submit date：2019/11/18 |
| 2.1 μ m InGaSb quantum well lasers exhibiting the maximum conversion efficiency of 27.5% with digitally grown AlGaAsSb barriers and gradient layers 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 130, 页码: 339-345
Authors: Shengwen Xie ; Chengao Yang ; ShuShan Huang ; Ye Yuan ; Yi Zhang ; Jinming Shang ; Chenyuan Cai ; Yu Zhang ; Yingqiang Xu ; Haiqiao Ni ; Zhichuan Niu
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| High material quality growth of AlInAsSb thin films on GaSb substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 028503
Authors: Fa-Ran Chang ; Rui-Ting Hao ; Tong-Tong Qi ; Qi-Chen Zhao ; Xin-Xing Liu ; Yong Li ; Kang Gu ; Jie Guo ; Guo-Wei Wang ; Ying-Qiang Xu ; Zhi-Chuan Niu
Adobe PDF(1093Kb) | Favorite | View/Download：2/0 | Submit date：2020/07/30 |
| InP-Based Surface-Emitting Distributed Feedback Lasers Operating at 2004 nm 期刊论文
IEEE Photonics Technology Letters, 2019, 卷号: 31, 期号: 21, 页码: 1701-1704
Authors: Dong-Bo Wang; Jin-Chuan Zhang ; Sen-Sen Li; Feng-Min Cheng ; Zeng-Hui Gu; Yi-Xuan Zhu; Ning Zhuo; Shen-Qiang Zhai; Li-Jun Wang ; Jun-Qi Liu; Shu-Man Liu; Feng-Qi Liu; Zhan-Guo Wang
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