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InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
Authors:  孙静
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锑化铟的掺杂与异质结构的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
Authors:  董海云
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无权访问的条目 学位论文
Authors:  于天
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锑化物超晶格中红外高温探测器 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors:  孙姚耀
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锑化物量子阱短波红外单模大功率激光器 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors:  黄书山
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GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors:  余丁
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无权访问的条目 学位论文
Authors:  王东博
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2.1 μ m InGaSb quantum well lasers exhibiting the maximum conversion efficiency of 27.5% with digitally grown AlGaAsSb barriers and gradient layers 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 130, 页码: 339-345
Authors:  Shengwen Xie ;   Chengao Yang ;   ShuShan Huang ;   Ye Yuan ;   Yi Zhang ;   Jinming Shang ;   Chenyuan Cai ;   Yu Zhang ;   Yingqiang Xu ;   Haiqiao Ni ;   Zhichuan Niu
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High material quality growth of AlInAsSb thin films on GaSb substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 028503
Authors:  Fa-Ran Chang ;   Rui-Ting Hao ;   Tong-Tong Qi ;   Qi-Chen Zhao ;   Xin-Xing Liu ;   Yong Li ;   Kang Gu ;   Jie Guo ;   Guo-Wei Wang ;   Ying-Qiang Xu ;   Zhi-Chuan Niu
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InP-Based Surface-Emitting Distributed Feedback Lasers Operating at 2004 nm 期刊论文
IEEE Photonics Technology Letters, 2019, 卷号: 31, 期号: 21, 页码: 1701-1704
Authors:  Dong-Bo Wang;   Jin-Chuan Zhang ;   Sen-Sen Li;   Feng-Min Cheng ;   Zeng-Hui Gu;   Yi-Xuan Zhu;   Ning Zhuo;   Shen-Qiang Zhai;   Li-Jun Wang ;   Jun-Qi Liu;   Shu-Man Liu;   Feng-Qi Liu;   Zhan-Guo Wang
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