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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, Qiqi;   Wang, Hailong;   Tong, Shucheng;   Ma, Jialin;   Zhao, Xupeng;   Zhao, Jianhua
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhen, Zixin;   Feng, Chun;   Wang, Quan;   Niu, Di;   Wang, Xiaoliang;   Tan, Manqing
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, Yuyang;   Zhang, Yi;   Zhao, Yunhao;   Cai, Chenyuan;   Zhang, Yahui;   Zhang, Yu;   Liang, Chongyun;   Xu, Yingqiang;   Niu, Zhichuan;   Shi, Yi;   Che, Renchao
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低维锑基半导体材料光电探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  柴瑞青
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锑化铟的掺杂与异质结构的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  董海云
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无权访问的条目 学位论文
作者:  于天
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jing Zhang;  Hongliang Lv;  Yifeng Song;  Haiqiao Ni;  Zhichuan Niu;  Yuming Zhang;   Senior Member, IEEE
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面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  白永彪
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GaAs基InSb薄膜MBE外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  赵晓蒙
Adobe PDF(4176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:847/47  |  提交时间:2017/06/01