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Ⅲ族氮化物异质结界面二维空穴气的第一性原理计算 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  何慧卉
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氮化物半导体材料与器件微观应力机理与调控研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  姚威振
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GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
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Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻