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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  闫果果
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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
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锗  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei LM;  Gao KH;  Liu XZ;  Zhou WZ;  Cui LJ;  Zeng YP;  Yu G;  Yang R;  Lin T;  Shang LY;  Guo SL;  Dai N;  Chu JH;  Austing DG;  Yu, G (reprint author), Shanghai Inst Tech Phys, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China, yug@mai.sitp.ac.cn
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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
Adobe PDF(321Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2279/471  |  提交时间：2010/10/11
Zinc Oxide  Doping  Defect  
MVPE Ga 掺杂ZnO 薄膜材料的制备及其在LED 中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  刘祯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao J;  Hu LZ;  Zhao, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. jiezhao_sub@163.com
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利用氧化锌提高LED光提取效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084159.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘祯;  段垚;  王晓峰;  曾一平
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制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
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