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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [6]
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会议论文 [6]
发表日期
2006 [4]
2004 [2]
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英语 [6]
出处
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EUROPEAN P... [1]
MATERIALS ... [1]
Physica St... [1]
SMIC-XIII2... [1]
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收录类别
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Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Thermally Stimulated Current
Gallium Nitride
Defects
Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li, Z (Li, Z.)
;
Li, CJ (Li, C. J.)
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. 电子邮箱地址: zhengl@bnl.gov
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提交时间:2010/03/29
Dlts
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Mocvd
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Yang, ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Indium Phosphide
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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提交时间:2010/10/29
Fe-doped Inp
Semiinsulating Inp
Point-defects
Pressure
Wafers
Traps
Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration
会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhang, YH
;
Li, CJ
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Deep-level Defects
Fe-doped Inp
Grown Inp
Spectroscopy
Resonance
Wafer