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Mg-Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王鹏;  陈诺夫;  尹志岗
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ZnO基稀磁半导体的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  尹志岗
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Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晓丽;  陈诺夫;  尹志岗
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