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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Shi K; Yang AL; Wang J; Song HP; Xu XQ; Sang L; Wei HY; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG; Shi, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn Adobe PDF(602Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1558/487  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang BA; Song HP; Xu XQ; Liu JM; Wang J; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Zhang, BA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhangbiao@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1445/425  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yang AL; Song HP; Liang DC; Wei HY; Liu XL; Jin P; Qin XB; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn Adobe PDF(341Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1981/463  |  提交时间:2010/05/04 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zheng GL; Yang AL; Wei HY; Liu XL; Song HP; Guo; Y; Jia CH; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Zheng, GL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhenggl@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn Adobe PDF(689Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1522/593  |  提交时间:2010/04/04 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: You JB; Zhang XW; Song HP; Ying J; Guo Y; Yang AL; Yin ZG; Chen NF; Zhu QS; You JB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbyou@semi.ac.cn Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2053/637  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yang AL; Wei HY; Liu XL; Song HP; Zheng GL; Guo Y; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1147/338  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yang AL; Song HP; Wei HY; Liu XL; Wang J; Lv XQ; Jin P; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1362/529  |  提交时间:2010/03/08 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1188/206  |  提交时间:2011/08/31 |