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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [31]
作者
王圩 [2]
赵德刚 [1]
韩培德 [1]
杨少延 [1]
文献类型
期刊论文 [28]
会议论文 [3]
发表日期
2002 [31]
语种
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出处
半导体学报 [3]
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发表日期:2002
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10
15
20
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35
40
45
50
55
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65
70
75
80
85
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95
100
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Tan LW
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Lin LY
;
Tan LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1354/203
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提交时间:2010/11/15
Epitaxial-growth
Al2o3
Si
Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD
会议论文
FERROELECTRICS, 271, MADRID, SPAIN, SEP 03-07, 2001
作者:
Wang H
;
Shang SX
;
Yao WF
;
Hou Y
;
Xu XH
;
Wang D
;
Wang M
;
Yu JZ
;
Wang H Shandong Univ State Key Lab Crystal Mat Jinan 250100 Peoples R China.
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浏览/下载:1027/178
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提交时间:2010/11/15
Bi2ti2o7
Thin Film
Mocvd
(111) Orientation
Chemical-vapor-deposition
Crystal Thin-films
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1495/300
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提交时间:2010/11/15
3c-sic
In-situ Doping
Low-pressure Cvd
Sapphire Substrate
Chemical-vapor-deposition
Competition Epitaxy
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang ZL
;
Li GH
;
Liu NZ
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Ding K
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Fang ZL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1198/262
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:888/235
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Lu HP
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1009/327
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Feng G
;
Fu Y
;
Xia JS
;
Zhu JJ
;
Zhang BS
;
Shen XM
;
Zhao DG
;
Yang H
;
Liang JW
;
Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1102/406
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan YW
;
Qu SC
;
Dong SS
;
Cui QL
;
Zhang WW
;
Liu XZ
;
Liu J
;
Liu BB
;
Gao CX
;
Zou GT
;
Pan YW,Jilin Univ,Natl Lab Superhard Mat,Changchun 130023,Peoples R China.
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浏览/下载:968/369
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu SJ
;
Zheng LX
;
Cheung SH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
;
Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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浏览/下载:1146/388
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Li GH
;
Sou IK
;
Ge WK
;
Fang ZL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12