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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 赵捷
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| 大晶格失配和异价的Si与III-V族半导体带阶的直接计算 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 胡玉莹
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| 基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 余之峰
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 李利安
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| 半导体中的非辐射复合与双壁纳米管电子结构的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 郭丹
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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 张立晨
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| 硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 杨巧林
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| 宽带隙氧化物半导体的功能设计 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 曹茹月
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu, Shaoteng; Yi, Xiaoyan; Tian, Shuang; Zhang, Shuo; Liu, Zhiqiang; Wang, Liancheng; Wang, Junxi; Li, Jinmin
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