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| h-BN的MOCVD外延及在深紫外LED中的应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 张琪
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 赵捷
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yao, Shunyu; Wei, Ziqi; Guo, Yanan; Zhang, Liang; Wang, Junxi; Yan, Jianchang; Bao, Chengying; Yang, Changxi
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 张亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zongxing Huang; Zhibai Zhong; Huachun Wang; Shiqiang Lu; Jun Wang; Guozhen Liu; Tongbo Wei; Jianchang Yan; Jung-Hong Min; Woo Lim Jeong; Dong-Seon Lee; Xuefen Cai; Fuchun Xu; Xiaohong Chen; Duanjun Cai; Junxi Wang; Junyong Kang
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 张翔
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 薛斌
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 吴清清
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng Gong; Alexander Bruch; Mohan Shen; Xiang Guo; Hojoong Jung; Linran Fan; Xianwen Liu; Liang Zhang; Junxi Wang; Jinmin Li; Jianchang Yan and Hong X. Tang
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| AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 赵勇兵
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Algan/gan Hfet 特征导通电阻 击穿电压 增强型器件 阈值电压 |
