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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu LW
;
So CK
;
Zhu CY
;
Gu QL
;
Li CJ
;
Fung S
;
Brauer G
;
Anwand W
;
Skorupa W
;
Ling CC
;
Lu, LW, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: ccling@hku.hk
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浏览/下载:1185/365
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li CJ (Li Chengji)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1322/364
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li Z (Li Z.)
;
Li CJ (Li C. J.)
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. E-mail: zhengl@bnl.gov
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浏览/下载:869/264
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提交时间:2010/04/11
Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1507/262
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提交时间:2010/03/29
Thermally Stimulated Current
Gallium Nitride
Defects
Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li, Z (Li, Z.)
;
Li, CJ (Li, C. J.)
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. 电子邮箱地址: zhengl@bnl.gov
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浏览/下载:1436/373
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提交时间:2010/03/29
Dlts
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, Z
;
En'yo, H
;
Eremin, V
;
Goto, Y
;
Li, CJ
;
Taketani, A
;
Tojo, J
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, RIKEN, BNL Res Ctr, Upton, NY 11973 USA. 电子邮箱地址: zhengl@bnl.gov
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li CB
;
Cheng BW
;
Mao RW
;
Zuo YH
;
Shi WH
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1060/380
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li CB
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/09
Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration
会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhang, YH
;
Li, CJ
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1521/312
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提交时间:2010/03/29
Deep-level Defects
Fe-doped Inp
Grown Inp
Spectroscopy
Resonance
Wafer
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li C
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Zuo YH
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li C,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12