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一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周盛华;  吴南健;  杨志超
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一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周盛华;  吴南健
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一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香;  吴南健
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一种温度开关 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李昀龙;  吴南健
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Miao, W;  Lin, QY;  Zhang, WC;  Wu, NJ;  Miao, W, Omnivis SDC, Shanghai, Peoples R China. 电子邮箱地址: nanjian@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1577Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1228/392  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, SH;  Zhang, W;  Wu, NJ;  Wu, NJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nanjian@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(444Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1937/874  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, YL;  Wu, NJ;  Wu, NJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nanjian@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1120Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：925/356  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, WC;  Wu, NJ;  Zhang, WC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangwc@red.semi.ac.cn;  nanjian@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(411Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：857/305  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Wancheng;  Wu Nanjian
Adobe PDF(613Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：905/325  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Wancheng;  Wu Nanjian
Adobe PDF(778Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1058/359  |  提交时间：2010/11/23