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制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  潘教青;  赵谦;  王圩;  朱洪亮
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倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李丙乾;  张书明;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, JY (Peng, J. Y.);  Tan, HM (Tan, H. M.);  Wang, YG (Wang, Y. G.);  Wang, BS (Wang, B. S.);  Miao, JG (Miao, J. G.);  Qian, LS (Qian, L. S.);  Ma, XY (Ma, X. Y.);  Peng, JY, Chinese Acad Sci, Changchun Inst Opt Fine Mech & Phys, Changchun 130033, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyingpeng111@163.com
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