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Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Huang XQ;  Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Lateral Intersubband Photocurrent  
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Zhao M;  Zhang CL;  Xu B;  Yu LK;  Sun J;  Lei W;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
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Monte Carlo Simulation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S (Liang S.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Wang W (Wang W.);  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng WQ (Peng W. Q.);  Cong GW (Cong G. W.);  Qu SC (Qu S. C.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Peng, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wqpeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH (Su Fu Hai);  Wang WJ (Wang Wen Jie);  Ding K (Ding Kun);  Li GH (Li Guo Hua);  Liu YF (Liu Yuangfang);  Joly AG (Joly Alan G.);  Chen W (Chen Wei);  Chen, W, Univ Texas, Dept Phys, POB 19059, Arlington, TX 76019 USA. E-mail: weichen@uta.edu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W (Feng W.);  Ding Y (Ding Y.);  Pan JQ (Pan J. Q.);  Zhao LJ (Zhao L. J.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Wang W (Wang W.);  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wfeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JF (Wang J. F.);  Yao DZ (Yao D. Z.);  Chen J (Chen J.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Wang, JF, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. E-mail: wlino@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S (Liang S.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Ye XL (Ye X. L.);  Wang W (Wang W.);  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L (Zhao L.);  Tu XG (Tu X. G.);  Zuo YH (Zuo Y. H.);  Chen SW (Chen S. W.);  Wang QM (Wang Q. M.);  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Elect Engn, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhaolei@mail.iee.ac.cn
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