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渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  朱洪亮;  张瑞英;  边静
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SJ;  Chen X;  Qin H;  Li WJ;  Bian Y;  Wang, SJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Artificial Neural Networks, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wsjue@red.semi.ac.cn;  shendacx@163.com;  qinhong@red.semi.ac.cn;  wjli@red.semi.ac.cn;  Bianyi@yeah.net
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li BX;  Zhu HL;  Zhang J;  Zhao Q;  Pian JQ;  Ding Y;  Wang BJ;  Bian J;  Zhao LJ;  Wang W;  Li, BX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈维德;  陈长勇;  卞留芳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  屈玉华;  江德生;  边历峰;  孙征;  牛智川;  徐晓华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵玲娟;  朱洪亮;  张静媛;  周帆;  王宝军;  边静;  王鲁峰;  田慧良;  王圩
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