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基于 InAsSb 体材料的高工作温度红外探测器研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  贾春阳
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h-BN的MOCVD外延及在深紫外LED中的应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  张琪
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基于高温退火AlN模板的深紫外激光二极管MOVPE生长研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  王大地
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无权访问的条目 学位论文
作者:  熊卓
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GaN材料掺杂特性及LED器件droop效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  付丙磊
Adobe PDF(6373Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1270/91  |  提交时间：2015/06/03