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InGaN/InAlN/GaN 异质结模拟研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  魏林程
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III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  季祥海
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Iii-v族半导体纳米线  异质结纳米线  自催化生长机制  金属有机化学气相沉积  
InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  沈桂英
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Inas单晶  热退火  离子注入  缺陷复合体  杂质带电导  
面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  白永彪
Adobe PDF(6437Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:759/27  |  提交时间:2018/06/01
第三代半导体材料及杂化钙钛矿光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  黄威
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  KUN WANG ;   QUAN WANG ;   JIAYAN CHU ;   HONGLING XIAO ;   XIAOLIANG WANG ;   ;   ZHANGUO WANG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guiying Shen;  Youwen Zhao;  Jingming Liu;  Yongbiao Bai;  Zhiyuan Dong;  Hui Xie;  Xiaoyu Chen
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