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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
GaN基HEMT器件材料的生长技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  吉泽生
Adobe PDF(2900Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：703/54  |  提交时间：2017/05/31