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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
韩培德 [1]
刘剑 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2008 [2]
2002 [1]
2000 [1]
1999 [1]
语种
英语 [5]
出处
SOLID STAT... [2]
MEMS/MOEMS... [1]
PHOTONICS ... [1]
PROCEEDING... [1]
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SPIE.; Nan... [1]
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SEMI OpenIR
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Improvement of GaN-based light emitting diodes performance grown on sapphire substrates patterned by wet etching - art. no. 684107
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, A35 Qinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Pyramidal Patterned Substrate
Ingan/gan
Light-emitting Diode
Wet Etching
High-brightness GaN-based blue LEDs grown on a wet-patterned sapphire substrate - art. no. 68410T
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Zhang, Y
;
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gan
Nitrides
Led
Mocvd
Patterned Sapphire Substrate
Wet Etching
Fabrication of 1.3 mu m Si-based MEMS tunable optical filter
会议论文
MEMS/MOEMS TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS, 4928, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 17-18, 2002
作者:
Zuo YH
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Mao RW
;
Luo LP
;
Gao JH
;
Bai YX
;
Wang LC
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Zuo YH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Fabry-perot
Tunable Filter
Surface Micromaching
Cavity
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Algan/gan Heterostructures
In-doping
2deg
Electron Sheet Density
X-ray Diffraction
Etching
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Phase Epitaxy
Mobility
Growth
Films
Photoluminescence characteristics of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays fabricated by dry and dry-wet etching
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Wang XH
;
Song AM
;
Liu J
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Li CF
;
Li YX
;
Yu JZ
;
Wang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Gaas/algaas
Quantum Dot Array
Etching Method
Photoluminescence
Wires