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作者:  Zhang L(张磊);  Ji RQ(冀瑞强);  Tian YH(田永辉);  Yang L(杨林);  Zhou P(周平);  Lu YY(卢洋洋);  Zhu WW(朱巍巍);  Liu YL(刘育梁);  Jia LX(贾连希);  Fang Q(方青);  Yu MB(余明斌)
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Edge dislocation of b=[001]/2 in the InAs nanostructure on InP(001) 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Wang YL;  Wu J;  Chen YH;  Wang ZG;  Zeng YP;  Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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