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4H-SiC的外延生长及后处理工艺的研究 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  陈俊宏
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微腔的物理效应及其应用探索 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者:  陈京好
Adobe PDF(2717Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:730/18  |  提交时间:2009/04/13