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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王军喜;  闫建昌;  郭亚楠;  张韵;  田迎冬;  朱邵歆;  陈翔;  孙莉莉;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  祝梦遥;  鲁军;  马佳淋;  李利霞;  王海龙;  潘东;  赵建华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  J Li;  Y L Zhong;  Dong Zhang
Adobe PDF(411Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：204/1  |  提交时间：2016/04/08