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紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏君磊;  吴远大;  安俊明;  郜定山;  李健;  龚春娟;  胡雄伟
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一种用于实现光波导器件耦合封装的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李健;  安俊明;  胡雄伟;  李建光;  王红杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM (An Junming);  Wu YD (Wu Yuanda);  Wang HJ (Wang Hongjie);  Li JG (Li Jianguang);  Xing B (Xing Bo);  Hu XW (Hu Xiongwei);  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. E-mail: junming@red.semi.ac.cn
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The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S 会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Li J;  An JM;  Wang HJ;  Xia JL;  Gao DS;  Hu XW;  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Porous Silicon  
Mode analysis of the UV-written channel waveguide - art. no. 60340J 会议论文
ICO20 Optical Design and Fabrication丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Xia JL;  Wu YD;  An JM;  Li J;  Gao DS;  Hu XW;  Xia, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev, Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Uv-written  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡小凤;  黎晓新;  吴慧娟;  陈品华;  曹晓光;  徐秀兰;  刘国栋;  李春安;  裴为华;  陈弘达;  隋晓红;  刘金彬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴远大;  夏君磊;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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