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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
作者
徐波 [12]
叶小玲 [5]
金鹏 [1]
李成明 [1]
文献类型
会议论文 [12]
发表日期
2004 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [2]
2000 [3]
1999 [2]
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英语 [12]
出处
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PHYSICA E,... [2]
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收录类别:CPCI\-S
语种:英语
文献类型:会议论文
作者:徐波
第一作者
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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95
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期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
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提交时间降序
题名升序
题名降序
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang ZY
;
Li CM
;
Jin P
;
Meng XQ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Spectrum
Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Reflectance-difference Spectroscopy
Indium Segregation
Ingaas/gaas Quantum Wells
Epitaxy-grown Ingaas/gaas
Surface Segregation
Interface
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Liu HY
;
Xu B
;
Ding D
;
Chen YH
;
Zhang JF
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Liu HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Low Dimensional Structures
Molecular Beam Epitaxy
Nanomaterials
Inas Islands
Gaas
Growth
Gaas(100)
Thickness
Density
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang ZG
;
Chen YH
;
Liu FQ
;
Xu B
;
Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Low Dimensional Structures
Strain
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Dots
Semiconducting Iii-v Materials
Laser Diodes
Well Lasers
Self-assembled InAs quantum wires on InP(001)
会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:
Wu J
;
Zeng YP
;
Sun ZZ
;
Lin F
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Wu J Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Short-period Superlattices
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
State
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Sun ZZ
;
Liu FQ
;
Wu J
;
Ye XL
;
Ding D
;
Xu B
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Self-assembled Quantum Dots
Inp Substrate
High Index
Mbe
In(Ga
Molecular-beam-epitaxy
Al)as/inAlas/inp
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
Photoluminescence
Inp(001)
Growth
Lasers
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Zhou W
;
Ding D
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dots
High Index
Molecular Beam Epitaxy
Photoluminescence
Surface Segregation
Oriented Gaas
Ingaas
Islands
Wells
Disks
High power continuous-wave operation of self-organized In(Ga)As/GaAs quantum dot lasers
会议论文
1999 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, SHATIN, HONG KONG, 36337
作者:
Wang ZG
;
Liang JB
;
Qian G
;
Xu B
;
Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Zhou W
;
Xu B
;
Xu HZ
;
Liu FQ
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Zhu ZZ
;
Li GH
;
Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Bimodal Distribution
Photoluminescence (Pl)
Quantum-size Effect
Ge
Ensembles
Si(100)
Growth
Shape